Fabricación de obleas de silicio
Grafito de gran pureza para extractor CZ y horno DSS.
Mersen ofrece soluciones sostenibles y eficientes, que garantizan la pureza de las obleas y el control de zonas calientes durante la cristalización.
Mersen también ofrece equipos y piezas dedicadas a las limitaciones de esta industria:
- Prueba de grafito purificado.
- Calentador de grafito purificado.
- Protección térmica cilíndrica de grafito o composite C/C.
- Aislamiento de fieltro flexible y carbono rígido para controlar los gradientes térmicos del crecimiento cristalino.
- Sujeciones roscadas de composite C/C.
- Intercambiador de calor de grafito.
Sistemas de Solidificación Direccional (DSS):
La refrigeración del baño de silicio fundido se controla para conseguir la solidificación del lingote con zonas cristalinas muy amplias. Estos lingotes se cortan con una sierra de alambre para conseguir "obleas" de silicio, que se utilizan principalmente en la industria fotovoltaica.
Mersen ofrece los siguientes elementos:
- Elemento calentador de grafito purificado.
- Aislamiento de carbono rígido de la zona caliente.
- Sujeciones de composite.
- Placa de composite.
- Intercambiador de calor de grafito.
El proceso de crecimiento de un solo cristal (Método Czochralski - CZ):
Este método de cristalización de silicio a más de 1.425 C se utiliza para producir grandes lingotes de cristal cilíndricos, requiriendo un control muy preciso del gradiente de temperatura del horno. Estos lingotes se cortan con una sierra de alambre para conseguir "obleas" de silicio, que se utilzan principalmente en la industria fotovoltaica y microelectrónica.
Mersen ofrece los siguientes elementos:
- Prueba (Crisol) (Crucible) de grafito purificado.
- Elemento calentador de grafito purificado.
- Aislamiento rígido de zona caliente.
- Protector térmico de grafito y composite C/C.
- Aislamiento de horno.
Contacto Spain
Sant Feliu Sales Office
C/ Ramón de Trinchería, 39-41
08980, Sant Feliu de Llobregat
BARCELONA
+34 93 685 7800
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Literatura de productos
ETV-ICP OES - detecting limits for high purity carbon and graphite
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ETV-ICP OES - detecting limits for high purity carbon and graphitePurified graphite silicon carbide graphite enhancement
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